3.4目前中国大陆半导体材料国产化率极低

虽然中国半导体需求庞大，并且在快速增长，但国产化比例低，国内产值远低于市场需求。根据中国半导体协会的数据，年中国大陆IC产业产值.5亿元（包括海外IC公司在中国大陆的工厂），与此同时，年全球半导体营收达到亿美元，中国占比仅为18.8%。

根据IBS的数据，年中国大陆IC市场规模达到亿美元左右，约占全球的1/2，但是产值仅仅相当于市场规模的40%。考虑到中国大陆IC产值包含海外IC公司在中国大陆数量众多的工厂，因此，如果仅仅计算中国大陆本土企业的话，产值占市场规模的比例不高于30%，国产化比例较低。

在整个半导体产业链中，特别是在半导体材料和设备方面，由于行业的技术壁垒高、市场门槛高，导致国产化比例极低，行业主要由欧美日韩的龙头公司所垄断。

在半导体设备方面，根据国际半导体产业协会（SEMI）的报告，年全球半导体制造设备的总销售额为.4亿美元，同比增长13％，中国台湾连续第五年成为最大的半导体设备市场，设备销售额为.3亿美元。中国大陆市场增长了32％，超过日本和北美，成为第三大市场，销售额达到64.6亿美元。

尽管中国大陆半导体设备市场规模大，但是国产化自给率相当低，半导体设备高端技术的落后与我国高速增长的市场需求之间的矛盾日益凸显。根据中国电子专用设备协会的数据，年中国半导体设备国产化率仅为12%左右。

在半导体材料方面，根据国际半导体产业协会（SEMI）的报告，年全球半导体材料的总销售额为.2亿美元，中国大陆市场增长了7.4％，销售额达到65.3亿美元。全球半导体材料市场规模巨大，但是主要被欧美日的化工巨头所垄断，中国本土半导体材料企业的产品还难以进入主流半导体产线中。

例如，年全球硅片前六大巨头的市场份额达到92%，光刻胶前五大巨头的市场份额达到87%。整个全球半导体材料市场被欧美日垄断的局面相当严峻。

根据ICMtia（中国集成电路材料产业技术创新战略联盟）的统计，预计年中国大陆国产电子材料总收入为.1亿元，自年以来的复合年均增速为17.23%，其中，预计年集成电路领域的国产材料总收入为.3亿元，自年以来的复合年均增速为23.3%，增速高于整体电子材料收入。在电子材料总收入结构中，国产半导体材料收入占比从年的24.7%提升至年的39.0%。

尽管，目前国产半导体材料在年的总收入有望达到.3亿元，但是90%以上的收入来自于后道晶圆封装市场，在前道晶圆制造领域，国产材料还难以进入主流的供应链，特别是28nm制程以下的先进产线，目前中国国产材料普遍还达不到相应技术水平的要求。

根据SEMI的统计，年中国半导体材料市场（包括前道制造和后道封装）总规模为65.3亿美元（约为.2亿人民币），根据ICMtia的统计，年中国国产半导体材料总收入为96.1亿元（包括前道制造和后道封装），可以计算出年中国半导体材料的国产化率为22.1%，相比于年的7.0%已经大幅进步。进步的主要原因在于封装材料的贡献，由于技术壁垒低，同时国内下游封装企业比制造企业更加成熟，过去十年中国国产封装材料发展迅速，但是更加先进的晶圆制造材料方面，国产化比例低于10%，国产替代空间很大。

3.5受益于国家战略支持，中国大陆本土半导体材料企业成长迅速

近年来，借助国家政策和金融资本的扶持，国内半导体材料企业发展迅速，迎来了千载难逢的发展机遇，纷纷布局中高端产品的研发，尤其是以大硅片、光刻胶、CMP材料、溅射靶材等进口依赖严重且毛利率较高的品种。

特别是十二五期间（-年）实施的02专项，对于提升中国本土集成电路产业链配套设备和材料起到了重要的作用。《极大规模集成电路制造技术及成套工艺》项目，因次序排在国家重大专项所列16个重大专项第二位，在行业内被称为“02专项”。02专项在“十二五”期间重点实施的内容和目标分别是：重点进行45-22纳米关键制造装备攻关，开发32-22纳米互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺、90-65纳米特色工艺，开展22-14纳米前瞻性研究，形成65-45纳米装备、材料、工艺配套能力及集成电路制造产业链，进一步缩小与世界先进水平差距，装备和材料占国内市场的份额分别达到10%和20%，开拓国际市场。

根据年02专项成果汇报，经过9年的艰苦攻关，我国本土企业已经研制成功14纳米刻蚀机、薄膜沉积等30多种高端装备和靶材、CMP抛光液等上百种材料产品，性能达到国际先进水平，通过了大生产线的严格考核，开始批量应用并出口到海外，从而实现了从无到有的突破，建立起了完整的产业链，使我国集成电路制造技术体系和产业生态得以建立和完善。

预计未来，随着在中国半导体材料产值稳定增长和国家大力扶持的利好条件下，特别是在02专项等专业化科研项目的培育下，在半导体材料领域将出现更多具有国际竞争力的公司和产品，将在很多材料产品上实现进口替代，打破外企独大的局面。

目前在国家的大力支持和市场需求的推动下，本土的半导体材料企业已经逐渐向高端产品领域前进。例如，在大硅片方面，由上海新阳、兴森科技、上海硅产业投资有限公司、上海皓芯投资管理有限公司合资成立的上海新昇，12寸大硅片已经于年底开始量产，根据公司产能规划，预计-年将形成mm硅片60万片/月的产能，年产值达到60亿元，达到世界先进水平。

在光刻胶方面，北京科华和苏州瑞红两家公司分别承担了国家02专项KrF（nm）光刻胶和i线（nm）光刻胶课题，并取得重大突破。北京科华已经掌握了g线正胶、i线正胶、KrF（nm）深紫外光刻胶及配套试剂，目前正在从事ArF（nm）深紫外光刻胶的研发。苏州瑞红已经掌握g线正胶、i线正胶和环化橡胶负胶，正进行KrF（nm）深紫外光刻胶的研发。

综上所述，中国半导体材料市场需求巨大，并且呈现出快速增长的趋势，但是由于行业极高的技术壁垒，以及中国自身发展的落后，导致中国本土国产化比例相当低，已经制约了整个半导体产业的健康发展。因此，近年来国家开始从政策和资本等各方面给予大力支持，中国本土企业在市场、政策、资金的各方面推动下，开始快速发展，未来有望实现大规模的国产替代。江丰电子（666）、上海新阳（236）、南大光电（346）、安集微电子、北京科华、浙江凯圣氟等公司已经开始逐步进入国内主流半导体产线供应链。

4.半导体材料细分市场深度分析

4.1基础核心材料——大硅片

硅是最重要、最基础的半导体材料，目前半导体器件大多数是用硅材料制造的（部分特殊领域，如射频PA、激光器芯片等采用三五族化合物材料）。一般的半导体器件要求单晶硅的硅纯度99.%（6个9）以上，大规模集成电路的要求高，硅的纯度必须达到99.%（9个9）以上，目前最先进的晶圆工艺要求达到99.9%（11个9）以上。

以集成电路用的毫米（12寸）大硅片为例，生产工艺流程如下：拉晶—滚磨—线切割—倒角—研磨—腐蚀—热处理—边缘抛光—正面抛光—清洗—外延—检测。其中，拉晶、研磨、抛光工艺和质量控制是抛光片生长的关键。

在具体的硅片规格方面可以分为抛光片、外延片和SOI三大类。目前经过切割单晶硅锭得到的硅片首先经过抛光处理得到抛光片PW（再经过退火处理得到的AW退火晶片也可以算是抛光片的一种），抛光片经过外延处理形成外延片EW（或EPI），再经过waferbonding形成SOI绝缘体上硅。

在具体的硅片方面，目前主流的硅片为mm（12英寸）、mm（8英寸）和mm（6英寸），其中，mm硅片自9年开始市场份额超过50%，到年的份额已经达到78%，预计年将占硅片市场需求大于84%的份额。

根据SEMI的统计数据，全球半导体硅片市场规模在9年受经济危机影响而急剧下滑，年大幅反弹。年到年，由于毫米大硅片的普及，造成硅片单位面积的制造成本下降，同时加上企业扩能竞争激烈，年全球硅片的市场规模只有75亿美金，连续两年下降。年受汽车电子及智能终端的需求带动，12寸大硅片价格止跌反弹，全球硅片出货量与市场规模开始复苏。根据Gartner的预测，到年全球硅片市场规模将达到亿美元左右。

从全球来看，硅材料具有高垄断性，全球一半以上的半导体硅材料产能集中在日本，尤其是随着尺寸越大、纯度越高，垄断情况就越严重。年全球半导体硅片销售额前两名的Shin-Etsu（信越）和Sumco都是日本公司。

目前，中国大陆半导体硅片供应商主要生产6英寸及以下硅片，8英寸（mm）产品仅有北京有研总院、浙江金瑞泓、昆山中辰（台湾环球晶圆子公司）等少数厂商生产。12英寸（mm）硅片方面，预计到年中国的总需求为万片/月。而目前中国大陆还不具备mm电子级硅片的生产能力，最快也要到年底，上海新昇半导体预计完成第一期产品投产，计划月产15万片，到年第二期产品投产，计划月产30万片，与庞大的需求相比仍然是远远不够。

4.2晶圆制造材料

4.2.1光罩/掩膜版

光罩是半导体核心工艺——光刻的最关键器件，也是限制工艺最小线宽的核心瓶颈。在半导体晶圆制造的整个流程中，有一部分是从版图到晶圆（wafer）制造中间的一个过程，即光掩膜或称光罩（mask）制造，是流程中造价最高的一部分。其原理是利用光刻技术，在半导体上形成图型，为将图型复制于晶圆上，必须透过光罩作用，类似于冲洗照片时利用底片将影像复制至相片上。

光罩的实体结构是布满IC电路图像的铬金属薄膜石英玻璃片。由石英玻璃作为衬底，在其上面镀上一层金属铬和感光胶，成为一种感光材料，把已设计好的电路图形通过电子激光设备曝光在感光胶上，被曝光的区域会被显影出来，在金属铬上形成电路图形，成为类似曝光后的底片的光掩模版，然后应用于对集成电路进行投影定位，通过集成电路光刻机对所投影的电路进行光刻。

从应用领域来看，由于光刻技术广泛应用于集成电路、TFT-LCD液晶显示、触控面板、PCB电路板等领域，因此，光罩/掩膜版的应用十分广泛。其中，集成电路市场是光罩产业的技术制高点，由于光刻是限制集成电路最小线宽的核心瓶颈，而光刻工艺先进程度主要由光罩和光刻机所决定，因此，半导体光罩可以说是整个半导体材料市场壁垒相对较高的细分子领域。

根据SEMI的报告，年全球半导体光罩市场规模达到33.2亿美元，年成长2%，而台湾连续第六年成为全球最大区域性市场。预期、两年全球半导体光罩市场年增率为4%与3%，到年市场规模将达到35.7亿美元。带动市场的主因仍是先进技术小于45nm的特征尺寸，以及亚太地区（特别是中国大陆）的产能成长。

受益于过去几年中国晶圆制造的快速发展，中国大陆光罩市场规模出现快速增长的趋势，根据中国半导体材料协会的统计，年市场规模为41.45亿元，预计到年达到50.7亿元，/年的增速在10%左右。

对晶圆制造厂来说，光罩的设计和制造需要紧密衔接，因此，晶圆制造厂商一般都有自己的专业光罩工厂来生产自身需要的光罩，先进的光罩技术也因此掌握在具有先进晶圆制造能力的晶圆厂手中。目前，英特尔、三星、台积电三家全球最先进的晶圆制造厂，其所用的光罩大部分由自己的专业工厂生产，外购较少。

除了集成电路最先进制程所用的光罩主要由各大晶圆厂自行制造之外，其他领域的光罩主要被三家公司所垄断：美国Photronics、日本DNP和日本凸版印刷Toppan，年的合计份额超过80%。光罩的上游材料主要为特种石英基材（占成本的90%以上），因此，各大光罩制造厂也向上游延伸，掌握基板、研磨、抛光、镀铬、涂胶等各个环节的生产能力。

国内方面，具备一定光罩制造能力的企业不多，除了中芯国际具备28nm光罩制造能力之外，还有中科院微电子中心、路维光电、深圳清溢光电等公司。但整体而言，国内企业技术和加工能力有限，在半导体光罩领域与国外差距较大。

4.2.2光刻胶及配套试剂

光刻胶，由感光树脂、增感剂（见光谱增感染料）和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。感光树脂经光照后，在曝光区能很快地发生光固化反应，使得这种材料的物理性能，特别是溶解性、亲合性等发生明显变化。经配套试剂（显影液、稀释剂、表面处理剂、去膜剂、剥离剂等）的处理，溶去可溶性部分，得到所需图像。

光刻半导体芯片二氧化硅的主要步骤是：1、涂布光致抗蚀剂；2、套准掩模板并曝光；3、用显影液溶解未感光的光致抗蚀剂层；4、用腐蚀液溶解掉无光致抗蚀剂保护的二氧化硅层；5、去除已感光的光致抗蚀剂层。

目前，电子产业用光刻胶下游应用主要为三大领域：TFT-LCD显示、PCB、集成电路（占比在25%左右）。

在集成电路生产过程中，光刻是至关重要的环节，整个芯片工艺所能达到的最小尺寸是由光刻工艺决定的，光刻胶的质量和性能是影响集成电路性能、成品率及可靠性的关键因素。根据台湾工研院的分析，光刻工艺的成本约为整个芯片制造工艺的35%，并且耗费时间约占整个芯片工艺的40%-60%。

在集成电路方面，根据SEMI的统计，年全球光刻胶市场规模为13.3亿美元，光刻胶配套试剂市场规模为18.0亿美元。目前全球光刻胶市场高度集中，根据中国半导体行业协会的数据，年日本合成橡胶、东京日化、罗门哈斯、信越化学工业株式会社、富士电子材料五家企业占据全球87%的市场份额。

高分辨率的光刻胶可以说是半导体化学品中技术壁垒最高的材料，市场上正在使用的大部分集成电路光刻胶产品也基本上出自日本和美国公司。同时在全新的EUV和E-beam光刻胶方面，中国还不具有量产能力，甚至研发能力都不具备。

得益于中国半导体产业的快速发展，中国的半导体光刻胶市场规模快速增长。根据中国半导体产业协会(CSIA)的统计数据，9年中国光刻胶市场规模不足25亿元，年增长为58亿元，年复合增长速度达14.3%。

但是，目前中国的电子用光刻胶产值主要集中于技术含量相对较低的PCB领域。根据中国辐射固化委员会的数据，年中国的半导体光刻胶产值中，PCB占比为95%，而高技术含量的集成电路光刻胶占比仅仅为1.5%。在市场规模方面，年中国集成电路用光刻胶及配套试剂市场规模分别为17.1亿元和18.0亿元，预计到年将分别为20.2亿元和24.24亿元。

根据中国产业信息网的分析，国内光刻胶与国际先进水平有较大差距，技术上仍处在国际上20世纪90年代水平，自给率仅10%，进口替代的空间巨大。其中，适用于6英寸硅片的g/i线光刻胶的自给率约为20%，适用于8英寸硅片的KrF光刻胶的自给率不足5%，而适用于12寸硅片的ArF光刻胶目前尚没有国内企业可以生产，完全依靠进口。

目前，我国光刻胶的主要厂商为北京科华和苏州瑞红，两家公司分别承担了国家02专项KrF（nm）光刻胶和i线（nm）光刻胶课题，并取得重大突破。北京科华已经掌握了g线正胶、i线正胶、KrF（nm）深紫外光刻胶及配套试剂，目前正在从事ArF（nm）深紫外光刻胶的研发。苏州瑞红已经掌握g线正胶、i线正胶和环化橡胶负胶，正进行KrF（nm）深紫外光刻胶的研发。

4.2.3电子特种气体

电子特种气体又可划分为掺杂气、外延气、离子注入用气、LED用气、蚀刻用气、化学汽相沉淀用气、载运和稀释气体等几大类，种类繁多，在半导体工业中应用的有余种电子气体，常用的有20-30种。

现在的电子半导体技术对于产品的性能和参数要求极其苛刻，对产品的制造环境要求极其严格，随着半导体制程精密化程度越来越高，对特气的纯度要求也相应提升，以维持芯片表面的洁净度，提升产品良率，因此对特种气体在掺杂、保护、注入等方面的应用需求很大。

全球角度来看，年全球集成电路用电子特种气体的市场规模为35亿美元，过去几年一直保持稳定，预计年的市场规模与年基本一致。在市场格局方面，由于电子特种气体对纯度要求极高，掌握高纯工艺、大规模量产的公司主要集中于欧美日的几家巨头公司，年美国气体化工、法国液化空气、日本酸素、普莱克斯和林德集团合计全球份额达到94%。

随着我国工业的发展和改革开放的不断深入，主要跨国气体公司都纷纷进入中国。合资和独资的半导体集成电路企业生产工艺中所使用的电子气体基本被国外气体公司所垄断，这与半导体集成电路对气体质量、供应的特殊要求有关。国外巨头直接在中国大陆投资建厂，降低生产成本，且在产品供应上更便利。

截止年底，国内方面电子特种气体行业集中度高，美国空气化工(APCI)、普莱克斯、日本昭和电工、英国BOC公司（已被德国林德集团收购）、法国液化空气、日本酸素这六家公司合计占据了我国电子特种气体85%的市场份额。

根据中国产业调研网的统计，截止年底，我国共有特种气体生产企业余家，但多数企业生产规模较小。近年来，随着国家对半导体产业的支持力度不断加大，02专项等科研项目推动中国本土的电子特种气体产品水平不断提升。

例如，南大光电、中环装备等公司大力投入的磷烷、砷烷、锗烷等产业化项目进展顺利；中国船舶重工集团公司第研究所、佛山市华特气体有限公司等单位的NF3、WF6、C2F6等部分气体品种已大批量应用于国内8英寸、12英寸集成电路生产线。

4.2.4CMP抛光材料

CMP化学机械抛光（ChemicalMechanicalPolishing）工艺是半导体制造过程中的关键流程之一，利用了磨损中的“软磨硬”原理，即用较软的材料来进行抛光以实现高质量的表面抛光。通过化学的和机械的综合作用，从而避免了由单纯机械抛光造成的表面损伤和由单纯化学抛光易造成的抛光速度慢、表面平整度和抛光一致性差等缺点。

CMP是一个平坦化处理的过程，旋转的工件以一定的压力压在随工作台一起旋转的抛光垫上，由磨粒和化学氧化剂等配成的抛光液在晶片与抛光垫间流动，在工件表面产生化学反应，生成易于去除的氧化表面，再通过机械作用将氧化表面去除。最后，去除的产物被流动的抛光液带走，露出新的表面，若干次循环去除后最终获得均匀的平坦化晶圆表面。

抛光材料是CMP工艺过程中必不可少的耗材。根据功能的不同，可以划分为抛光垫、抛光液、调节器、清洁剂等，主要以抛光液和抛光垫为主。

最终CMP抛光的效果与多种因素有关，其中抛光液的种类、粒径大小、颗粒分散度、物理化学性质等均与抛光效果紧密相关。此外，抛光垫的属性（如材料、平整度等）也极大地影响了CMP抛光的效果。

随着集成电路芯片工艺制程技术的不断进步，芯片的集成度不断提高，使得晶圆制造对硅片表面的平整度要求也不断提高，因此对CMP工艺的需求不断增加。例如，深亚微米DRAM所需的硅片需进行3-6次CMP，深亚微米MPU需进行9-13次CMP。根据SEMI的统计数据，年全球CMP抛光材料市场规模达到15.9亿美元，预计到年将达到17.2亿美元。

在市场格局方面，抛光垫目前主要被陶氏化学公司所垄断，市场份额达到90%左右，其他供应商还包括日本东丽、3M、台湾三方化学、卡博特等公司，合计份额在10%左右。抛光液方面，目前主要的供应商包括日本Fujimi、日本HinomotoKenmazai，美国卡博特、杜邦、Rodel、Eka，韩国ACE等公司，占据全球90%以上的市场份额，国内这一市场主要依赖进口。

国内方面，目前，在手机玻璃盖板等低端抛光材料领域已经大部分实现国产化，在集成电路用高端市场还需技术突破。近年来，在国家02专项的支持下，国内公司安集微电子生产的铜/阻挡层抛光液可以应用于6英寸、8英寸、12英寸芯片的制造工艺，产品技术节点涉及-28纳米，获得国内外市场的突破；根据鼎龙股份年报，其CMP抛光垫项目一期建设已经完成，目前正在市场推广阶段，二期工程也将开始建设，有望打破国外企业的垄断地位。

4.2.5湿电子化学品

湿电子化学品，也叫超净高纯试剂，为微电子、光电子湿法工艺制程中使用的各种电子化工材料。主要用于半导体、太阳能硅片、LED和平板显示等电子元器件的清洗和蚀刻等工艺环节。按用途主要分为通用化学品和功能性化学品，其中通用化学品以高纯溶剂为主，例如氧化氢、氢氟酸、硫酸、磷酸、盐酸、硝酸等；功能性化学品指通过复配手段达到特殊功能、满足制造中特殊工艺需求的配方类或复配类化学品，主要包括显影液、剥离液、清洗液、刻蚀液等。

湿电子化学品是集成电路工艺制程中的关键性基础化工材料，不同线宽的集成电路制程工艺中必须使用不同规格的超净高纯试剂进行蚀刻和清洗。按照SEMI等级的分类，G1等级属于低档产品，G2等级属于中低档产品，G3等级属于中高档产品，G4和G5等级则属于高档产品。集成电路用超净高纯试剂的纯度要求较高，基本集中在G3、G4水平，中国的研发水平与国际尚存在较大差距。分立器件对超净高纯试剂纯度的要求低于集成电路，基本集中在G2级水平，国内企业的生产技术能够满足大部分的生产需求。

湿电子化学品目前广泛应用在半导体、平板显示、太阳能电池等多个领域，其中液晶面板领域增速快。根据江化微招股书，在半导体领域，年全球湿电子化学品需求量约为67万吨，市场需求保持稳定。在供应方面，目前市场份额主要被欧美和日韩企业占据，尤其在半导体高端市场领域，技术壁垒明显，国内企业大部分产品在达不到G3标准，很难应用在高端市场。

国内方面，在半导体领域，年湿电子化学品需求量约为15万吨，预计年将达到19.5万吨。在产能方面，国内企业持续扩大产能，在中低端市场满足市场需求，势头良好，在高端市场方面进口替代空间巨大。

但是，目前国内市场中，国内企业主要集中在技术相对低端的太阳能领域，而处在高端技术领域的半导体用湿电子化学品主要还依赖进口。目前国内6寸及以下晶圆加工用的湿电子化学品国产化率为80%左右，而8寸及以上晶圆加工的市场国产化率仅为10%左右。

在半导体湿化学品供应商方面，市场份额主要掌握在欧美日韩等国家的企业手中，包括德国巴斯夫，美国亚什兰化学、Arch化学，日本关东化学、三菱化学、京都化工、住友化学、和光纯药工业，台湾鑫林科技，韩国东友精细化工等，上述公司占全球市场份额的85%以上。

国内方面，湿电子化学品企业主要有上海新阳、浙江凯圣氟、江阴江化微、江阴润玛、苏州晶瑞股份等公司，这些企业的部分产品已经达到了国际G3标准，并已开展G4标准的研发工作。例如，上海新阳的电镀硫酸铜复配化学品已在8~12英寸大硅片的铜制程中得到应用；浙江凯圣氟可以提供应用于12寸产线的电子级硝酸和氢氟酸。

4.2.6高纯溅射靶材

在半导体行业生产领域，靶材是溅射工艺中必不可少的重要原材料。溅射工艺是制备电子薄膜材料的主要技术之一，它利用离子源产生的离子轰击固体表面，使固体表面的原子离开固体并沉积在基底表面，被轰击的固体称为溅射靶材。

按照应用领域不同，电子溅射靶材可以分为半导体靶材、平面靶材、镀膜玻璃靶材、太阳能光伏靶材等，不同应用领域对金属材料的选择和性能要求存在一定的差异，其中半导体集成电路用的溅射靶材技术要求最高，最苛刻。

溅射靶材产业链主要包括金属提纯、靶材制造、溅射镀膜和终端应用等环节，其中，靶材制造和溅射镀膜环节是整个溅射靶材产业链中的关键环节。高纯溅射靶材制造环节技术门槛高、设备投资大，具有规模化生产能力的企业数量相对较少，主要分布在美国、日本等国家和地区，其中，部分企业同时开展金属提纯业务，将产业链延伸到上游领域；部分企业只拥有溅射靶材生产能力，高纯度金属需要上游企业供应。尤其是半导体用溅射靶材领域，是一个被由美国和日本的少数公司（日矿金属、霍尼韦尔、东曹、普莱克斯）等跨国公司垄断的行业。

由于下游产业蓬勃发展，溅射靶材的市场需求量也在快速提高，尤其是制作工艺更高的高纯溅射靶材（纯度：99.9%-99.%），更是供不应求，呈现高速增长的势头。根据WSTS，年全球溅射靶材的总市场规模将超过亿美元，而高纯溅射靶材市场规模年复合增长率可达到13%。高纯溅射靶材主要对应平板显示、半导体、记录媒体与太阳能电池四大领域。

在半导体领域，根据WSTS的数据，年全球市场规模为13亿美元（其中晶圆制造领域6.3亿美元，封测领域5.5亿美元），占全球高纯靶材市场的12%。受益于近年来中国集成电路制造和封测产业的快速发展，中国大陆半导体靶材市场规模呈现快速增长，年市场规模为11.5亿元。

由于高纯溅射靶材对材料的纯度、稳定性要求极高，因此属于技术密集型产业，对供应商的技术能力要求苛刻，目前主要被日本和美国企业所垄断。

国内供应商方面，目前产品主要集中于低端领域，在高端产品方面与海外巨头差距较大。不过随着国内产业的崛起，已有个别龙头企业崛起，在市场上占据了一定的份额。例如，江丰电子是目前国内最大的半导体靶材生产商，生产的电子级超高纯铝产品，可应用于半导体芯片和平板显示领域的互连线材料，目前已批量供应中芯国际、台积电、东芝、日本美光、日本瑞萨、海力士、意法半导体、京东方等知名客户。而且，公司目前已掌握铜、铝等原材料的核心提纯技术，有望逐步打破海外垄断。

4.3晶圆封装材料

半导体晶圆封装是指将晶圆按照产品型号及功能需求加工得到独立芯片的过程，主要的工艺包含：贴膜-打磨-去膜-切割-粘贴-键合-压膜-烘焙-电镀-印字-引脚成型等。

典型的晶圆封装过程为：来自晶圆前道工艺的晶圆通过划片工艺后被切割为小的晶片（Die），然后将切割好的晶片贴装到相应的基板（引线框架）架的小岛上，再利用超细的金属（金锡铜铝）导线或者导电性树脂将晶片的接合焊盘（BondPad）连接到基板的相应引脚（Lead）,并构成所要求的电路；然后再对独立的晶片用塑料外壳加以封装保护，塑封之后还要进行一系列操作，封装完成后进行成品测试，通常经过入检In







































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